믿었던 HBM마저…中의 반도체 추격이 무섭다 ⚡

무슨 일이 있었나

한국반도체산업협회에 따르면 한·중 메모리 반도체 기술 격차가 HBM 3년, D램 2년, 낸드플래시 1년으로 좁혀졌습니다. 중국 창신메모리(CXMT)는 EUV 장비 없이도 후공정·이종결합 기술로 5세대 HBM을 테스트 중이며, 올해 2분기 글로벌 D램 시장에서 점유율 10%로 4위에 올랐어요. 상반기 매출은 전년 대비 873.6% 급증했습니다. 원문 보러가기

이게 왜 중요한가

이 추격이 위협적인 이유는 미국의 첨단장비 수출 통제를 정면 돌파가 아니라 우회로 뚫었기 때문입니다. 웨이퍼를 직접 붙이는 방식으로 EUV 없이 대역폭을 넓히는 발상은, 마치 정공법이 막히자 곁길에서 지름길을 찾아낸 격이죠. 손자병법의 ‘기정상생(奇正相生)’이 반도체 공정에서도 통하는 셈입니다.

한국 독자·비즈니스에 주는 시사점

이 흐름은 한국 반도체 업계와 투자자에게 경각심을 주는 신호입니다.

• 삼성전자·SK하이닉스가 HBM·서버용 메모리에 집중하는 사이, 범용 D램 시장에서 확보한 중국 기업의 현금이 다시 HBM 연구개발로 흘러드는 구조를 주시해야 합니다.
• CXMT의 영업이익률(82%)이 이미 국내 기업을 넘어선 만큼, 단순 점유율 경쟁이 아닌 기술 초격차 전략을 재점검할 시점입니다.
• 애플 등 글로벌 고객사가 CXMT 메모리 테스트에 나선 정황은, 국내 공급망 기업들도 고객 이탈 리스크를 미리 대비해야 함을 뜻합니다.

전망

CXMT는 최근 상하이 상장으로 13조 원 넘는 실탄을 추가 확보해 생산기지 확장에 속도를 내고 있습니다. 격차가 ‘한 세대’ 이하로 좁혀진 지금, 한국 반도체 업계는 기술 초격차 재정비를 서두를 필요가 있습니다.