🚨💾 기술 빼가더니 D램 4위까지…中 CXMT, 이제 ‘삼전닉스’ 정조준

무슨 일이 있었나

미국의 고강도 반도체 제재에도 중국 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 2026년 1분기 글로벌 시장 점유율 8%를 기록하며 세계 4위 D램 기업으로 올라섰습니다. 1년 전 3%대에서 두 배 넘게 뛴 수치입니다. KBS 시사교양 프로그램 크랩은 이 급성장 뒤에 전직 삼성전자 엔지니어들의 기술 유출이 있었다고 짚었습니다. 실제로 국내 법원은 6년간 CXMT에 D램 핵심 공정 기술을 넘기고 29억 원을 받은 전직 삼성 연구원에게 징역 7년을, 18나노 D램 기술을 유출한 공범에게도 같은 형량을 선고했습니다.

이게 왜 중요한가

글로벌 D램 시장은 오랫동안 삼성전자(38%)·SK하이닉스(29%)·마이크론(22%)이 사실상 과점해온 곳입니다. CXMT가 8%로 비집고 들어온 것은 단순한 신흥주자의 등장이 아니라, 30년 가까이 굳건했던 한국 반도체 지배력에 균열이 생겼다는 신호로 읽힙니다. 게다가 유출된 기술이 CXMT의 2023년 첫 D램 양산 성공에 결정적 역할을 했다는 사실이 드러나며, 저렴한 인건비·보조금뿐 아니라 훔친 기술이 중국 반도체 굴기의 지름길이었음이 확인된 셈입니다. 남의 다리로 걷는다는 중국 속담처럼, CXMT는 자체 개발 대신 유출 기술로 시행착오를 건너뛴 셈입니다.

한국 독자·비즈니스에 주는 시사점

삼성전자와 SK하이닉스로서는 발등에 불이 떨어졌습니다. ① 범용 D램은 CXMT의 저가 물량 공세로 가격 하락 압력이 커져 수익성 방어가 관건입니다. ② 두 회사는 이미 HBM·차세대 공정으로 무게중심을 옮기고 있는데, 이번 사태로 전환 속도를 더 끌어올려야 할 이유가 하나 더 생겼습니다. ③ 퇴직자 이직 관리, 핵심 인력 처우, 처벌 강화 등 사람을 통한 유출을 막는 내부 통제가 인사·투자 전략의 핵심 변수로 떠올랐습니다. 투자자는 범용 D램 스프레드 축소가, 소비자는 중장기 메모리 가격 구조 변화가 관전 포인트입니다.

전망

CXMT는 아직 최신 공정에서 삼성·SK하이닉스보다 2~3년가량 뒤처져 있고 HBM 진입도 초기 단계입니다. 다만 정부 보조금을 등에 업은 저가 물량 확장 속도를 감안하면 범용 D램 영역의 점유율 잠식은 당분간 이어질 가능성이 큽니다. 한국 반도체 업계는 HBM·첨단 공정에서 기술 격차를 더 벌리는 동시에, 기술 유출 통제망을 촘촘히 다시 짜는 투 트랙 대응이 앞으로 몇 년의 승부처가 될 전망입니다.